[实用新型]一种大功率LED芯片有效
| 申请号： | 201721107016.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207134383U | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张积慧 | 申请（专利权）人： | 泰宁县熔岩机电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 李雁翔 |
| 地址： | 354400 福建省三明*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种大功率LED芯片，透明导电层包括透明导电金属氧化物膜层与石墨烯膜层交替层叠组成的多个周期的层叠结构，电流扩散均匀，在大功率LED芯片中，可替代电极所延伸出的电极脚的作用，节省电极的材料成本，同时无电极脚的遮光，出光效率高，光电性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种大功率LED芯片，其特征在于，包括：蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的上表面阵列排布有一体延伸成型的凸点；GaN外延层，所述外延层包括：在该蓝宝石衬底的上表面依次层叠设置的缓冲层、N型层、发光层及P型层；部分P型层区域蚀刻裸露出N型层；透明导电层，所述透明导电层设置在P型层表面，所述透明导电层包括：透明导电金属氧化物膜层与石墨烯膜层交替层叠组成的多个周期的层叠结构，所述该透明导电层的最下层及最上层均为透明导电金属氧化物膜层；P电极与N电极，所述P电极设置在P型层表面的透明导电层上，所述N电极设置在裸露出的N型层上；透明保护层，所述透明保护层覆盖在P电极与N电极之外的透明导电层与N型层的表面；反光层，所述反光层设置在蓝宝石衬底的下表面。
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