[实用新型]一种GaN的DC-DC测试装置

摘要

本实用新型公开了一种GaN的DC‑DC测试装置，包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统；其中上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC的功能及连接方式与传统的DC‑DC测试装置一致，死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路替代传统的DC‑DC测试装置部分电路。本实用新型在传统的DC‑DC测试装置的基础上增设了死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统，使得测试装置死区时间可调、测试装置驱动turn‑on电阻、turn‑off电阻可调以及测试装置关键信号测试点布局更灵活合理。

主权项

1.一种GaN的DC‑DC测试装置，其特征在于，包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统；死区时间可调电路包括可变电阻模块与电容；上下管驱动电阻可调电路分别包括上管开通可变电阻模块、上管关断可变电阻模块和下管开通可变电阻模块、下管关断可变电阻模块；控制IC上管输出信号HO与驱动IC的上管输入信号HI直接连接；控制IC下管输出信号LO先与可变电阻模块的一端连接，而可变电阻模块的另一端与驱动IC的下管输入信号LI连接；电容的一端与驱动IC的下管输入信号LI连接，另一端与地连接；驱动IC的上管开通信号Hon与上管开通可变电阻模块一端连接，上管开通可变电阻模块另一端与上管的栅极连接；驱动IC的上管关断信号Hoff与上管关断可变电阻模块一端连接，上管关断电阻可变电阻模块另一端与上管的栅极连接；驱动IC的下管开通信号Lon与下管开通可变电阻模块一端连接，下管开通可变电阻模块另一端与下管的栅极连接；驱动IC的下管关断信号Loff与下管关断可变电阻模块一端连接，下管关断可变电阻模块另一端与下管的栅极连接；输入电容一端与上管的漏极连接，另一端与地连接；上管的源极与下管的漏极、电感的一端分别连接；下管的源极与地连接，电感的另一端与输出电容一端连接，输出电容另一端与地连接；测试点系统包括输入电容两端测试点、输出电容两端测试点、上管控制IC驱动信号测试点、下管控制IC驱动信号测试点、死区可调电路输出测试点、上管驱动IC导通输出信号测试点、上管驱动IC关断输出信号测试点、下管驱动IC导通输出信号测试点、下管驱动IC关断输出信号测试点、上管驱动电阻可调电路输出测试点、下管驱动电阻可调电路输出测试点、上下管连接测试点。