[实用新型]一种内置连接半桥电路的封装装置有效

专利信息
申请号: 201721139811.5 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN207233731U 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 廖兵;沈礼福 申请(专利权)人: 苏州达晶微电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/495
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型属于半导体框架技术领域,尤其是涉及一种内置连接半桥电路的封装装置。塑封部分、以及分别由塑封部分延伸而出的第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚,所述塑封部分中设有互不电性连接的第一载芯板和第二载芯板,其中第一载芯板下端与第二引脚相连接,第二载芯板四周与第一载芯板相互间隔绝缘,第二载芯板下端与第三引脚相连接,同时第一引脚或第二引脚均与第三引脚无电性连接。本实用新型塑封后保持与目前TO‑247标准外形的塑封尺寸一致,在不需要改变现有封装产线设备的基础上完成内置连接的半桥电路的封装,大大降低了半桥电路的成本,减小了半桥器在电路板中占用的空间,提高了装配可靠性和装配效率。
搜索关键词: 一种 内置 连接 电路 封装 装置
【主权项】:
一种内置连接半桥电路的封装装置,它包含塑封部分(1)、第一引脚(21)、第二引脚(22)、第三引脚(23)、第四引脚(24)、第五引脚(25);其特征在于:所述塑封部分(1)中设有互不电性连接的第一载芯板(31)和第二载芯板(32),其中第一载芯板(31)下端与第二引脚(22)相连接,第二载芯板(32)四周与第一载芯板(31)相互间隔绝缘,第二载芯板(32)下端与第三引脚(23)相连接,所述的第一载芯板(31)上焊接有上桥MOSFET芯片(61);第二载芯板(32)上焊接有下桥MOSFET芯片(62);所述第一引脚(21)为上桥MOSFET的栅极,第二引脚(22)为上桥MOSFET的漏极,第三引脚(23)既是上桥MOSFET的源极,也是下桥MOSFET的漏极,第四引脚(24)是下桥MOSFET的栅极,第五引脚(25)是下桥MOSFET的源极;同时第一引脚(21)或第二引脚(22)均与第三引脚(23)无电性连接。
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