[实用新型]背投影式光电探测清纱装置

摘要

本实用新型涉及背投影式光电探测清纱装置以解决现有技术中使用光电式检测法的清纱装置不能检测出异质纤维和同质异色纤维的技术问题。发光管的前端与探测器的光敏面齐平设置使得发光管发出的光不会直接进入探测器中，而是会经滤光片过滤并照射待检测纱线后再由待检测纱线反射或是由反射镜反射回探测器的光敏面，有利于减小杂光信号对检测结果的影响，提高采集到信号的信噪比。而PIN型紫外增强型硅光电二极管使得其能在较低的波段开始响应，且在接收到一定功率光线照射后能产生的光电流强度较大，所以本实用新型具有极大的光波捕获率及光电流转化率，因而可以仅使用光电式检测法检测出待检测纱线中的同质异色纤维和同色异质纤维。 1

主权项

1.背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：包括设置于待检测纱线后方的发光管和探测器，还包括设置于待检测纱线前方的反射镜，发光管的前端面与探测器的光敏面齐平设置，发光管与探测器的前方还设置有用于选取330nm～470nm的波段光线的滤光片，所述反射镜的反光面与探测器的光敏面平行，所述发光管包括紫外发光二极管，所述探测器包括PIN型紫外增强型硅光电二极管；紫外增强型硅光二极管由电阻率为3000Ω·cm的高电阻率N型(111)硅片制成，硅片尺寸为6英寸，单面抛光，场氧化厚度1000nm，一面注入剂量为4x10¹⁴cm^‑2～5x10¹⁴cm^‑2、能量为30Kev的硼而形成P形区，另一面注入剂量为5x10¹⁵cm^‑2、能量为100Kev的磷而形成N+区，硅片的P型区抛光、N+区磨光，抛光面P型区和底面磨光面的N+区的氧化层厚度减薄到50nm～60nm。

2.根据权利要求1所述的背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：所述发光管对称分列在探测器的左右两侧，每侧发光管的数量至少为两只，每侧的发光管均沿上下方向间隔均布。

3.根据权利要求2所述的背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：发光管的壳体包括可发散光线的磨砂面。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：所述探测器上连接有信号处理系统，信号处理系统包括依次布置的信号接收模块、放大模块、滤波模块、整形模块和比较输出模块。