[实用新型]一种碲化镉太阳能电池有效
| 申请号： | 201721160703.6 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN207474484U | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周航;唐涛;梁军 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/073 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种碲化镉太阳能电池，所述碲化镉太阳能电池包括：掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃；硫化镉CdS薄膜，沉积在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上；碲化镉CdTe薄膜，沉积在硫化镉CdS薄膜上；碳纳米管薄膜，沉积在碲化镉CdTe薄膜上；金属电极，沉积在碳纳米管薄膜上。上述技术方案具有如下有益效果：使碳纳米管层具备很好的热稳定性，从而电池不会像铜Cu掺杂做背电极那样出现效率减退，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉太阳能电池 沉积 碳纳米管薄膜 二氧化锡 硫化镉 碲化镉 掺氟 延长使用寿命 本实用新型 碳纳米管层 金属电极 热稳定性 背电极 掺杂 电池 | ||
【主权项】：
一种碲化镉太阳能电池，其特征在于，所述碲化镉太阳能电池包括：掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃；硫化镉CdS薄膜，沉积在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上；碲化镉CdTe薄膜，沉积在硫化镉CdS薄膜上；碳纳米管薄膜，沉积在碲化镉CdTe薄膜上；金属电极，沉积在碳纳米管薄膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
