[实用新型]金氧半场效晶体管

摘要

本实用新型公开了金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，源极穿过其中一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；漏极穿过另外一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；在二氧化硅绝缘层与P区接触的表面之间形成的空腔中还设置有一个外延片，二氧化硅绝缘层在空腔中的表面向下突出形成一个等腰梯形台面，P区在空腔中的表面向下凹陷形成凹槽，形成的凹槽的表面积大于形成的等腰梯形台面的表面积；外延片与空腔形状相适应。本实用新型减小外延片的使用面积，使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上，节约外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面积。

主权项

金氧半场效晶体管，包括栅极(1)、源极(2)、漏极(3)、二氧化硅绝缘层(4)、两个N区(5)、一个P区(6)、外延片(9)，其中，两个N区(5)分别设置在P区(6)的上表面的两端，两个N区(5)和一个P区(6)整体构成方形结构；所述二氧化硅绝缘层(4)设于两个N区(5)以及P区(6)的上方；所述栅极(1)设置在两个N区(5)之间的P区(6)上侧的二氧化硅绝缘层(4)顶部；所述源极(2)穿过其中一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通，所述漏极(3)穿过另外一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通；其特征在于，所述P区(6)上端面正对氧化硅绝缘层(4)的部位向下凹陷形成定位凹槽，所述二氧化硅绝缘层(4)下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，所述等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，所述外延片(9)嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配。