[实用新型]一种带ESD防护功能的MOS管有效

专利信息
申请号: 201721192929.4 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN207217527U 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 黄景扬 申请(专利权)人: 科广电子(东莞)有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/78;H01L27/02
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)44400 代理人: 蒋亚兵
地址: 523430 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种带ESD防护功能的MOS管,包括封装层、MOS芯片、G极焊盘、S极焊盘、D极焊盘,MOS芯片包含G极、S极、D极,G极焊盘、S极焊盘、D极焊盘分别与G极、S极、D极电性连接,封装层内部设置有抗ESD芯片,抗ESD芯片包含芯片正极、芯片负极,芯片正极与G极焊盘电性连接,芯片负极与S极焊盘电性连接。本实用新型设置独特的装配结构,在MOS管内部配置抗ESD芯片,当遇到ESD时,能够吸收ESD,达到抗ESD的功能。其抗ESD芯片配置在MOS管封装前完成,结构简单,更换二极管耐压值即可适用于不同电路的ESD要求,适用性强。
搜索关键词: 一种 esd 防护 功能 mos
【主权项】:
一种带ESD防护功能的MOS管,包括封装体(1)、MOS芯片(2)、G极焊盘(3)、S极焊盘(4)、D极焊盘(5),所述MOS芯片(2)包含G极(21)、S极(22)、D极(23),所述G极焊盘(3)、S极焊盘(4)、D极焊盘(5)分别与所述G极(21)、S极(22)、D极(23)电性连接,其特征在于,所述封装体(1)内部设置有抗ESD芯片(6),所述抗ESD芯片(6)包含芯片正极(61)、芯片负极(62),所述芯片正极(61)与所述G极焊盘(3)电性连接,所述芯片负极(62)与所述S极焊盘(4)电性连接。
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