[实用新型]抗高温大功率二极管有效

专利信息
申请号: 201721193336.X 申请日: 2017-09-18
公开(公告)号: CN207282485U 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 李龙荣;毛姬娜;郭燕;张晶;蔡厚军;周东方 申请(专利权)人: 东莞市南晶电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/467
代理公司: 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)44412 代理人: 潘婷婷
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及二极管领域,特别是涉及抗高温大功率二极管,包括芯片,分别通过上墩头和下墩头焊接于芯片上端和下端的上引脚和下引脚,封装结构,上引脚和下引脚均伸出封装结构外部;所述芯片上表面面积小于下表面面积;上墩头的面积小于芯片上表面面积,下墩头的面积等于芯片下表面面积;封装结构包括陶瓷壳体,开设于陶瓷壳体内的封装槽,所述芯片、上墩头和下墩头通过环氧树脂封装于封装槽内,上引脚和下引脚穿过环氧树脂伸出陶瓷壳体外部;陶瓷壳体内部位于上引脚和下引脚两侧均平行开设有若干个散热槽,陶瓷壳体表面对应散热槽成型有若干个散热孔。本实用新型抗高温性能强、工作稳定、使用寿命长。
搜索关键词: 高温 大功率 二极管
【主权项】:
抗高温大功率二极管,其特征在于:包括芯片,分别通过上墩头和下墩头焊接于芯片上端和下端的上引脚和下引脚,封装于芯片、上引脚和下引脚外部的封装结构,所述上引脚和下引脚均伸出封装结构外部;所述芯片上表面面积小于下表面面积;所述上墩头的面积小于芯片上表面面积,所述下墩头的面积等于芯片下表面面积;所述封装结构包括陶瓷壳体,开设于陶瓷壳体内的封装槽,所述芯片、上墩头和下墩头通过环氧树脂封装于封装槽内,所述上引脚和下引脚穿过环氧树脂伸出陶瓷壳体外部;所述陶瓷壳体内部位于上引脚和下引脚两侧均平行开设有若干个散热槽,所述陶瓷壳体表面对应散热槽成型有若干个散热孔,所述散热槽背离上引脚和下引脚的一端与散热孔相连通。
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