[实用新型]一种延时隔离输出装置有效
申请号: | 201721206606.6 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN207368875U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 曹骥;陆剑波 | 申请(专利权)人: | 杭州可靠性仪器厂 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 王兵;黄美娟 |
地址: | 311251 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种延时隔离输出装置,包括外壳、MOS FET半导体继电器、电磁继电器、数字信号控制器以及供电电源,MOS FET半导体继电器、电磁继电器、数字信号控制器以及供电电源均设置在外壳内腔,MOS FET半导体继电器与电磁继电器串联,其中MOS FET半导体继电器的交流电输入引脚从外壳引出作为与外部交流电电连的整个装置的电流输入端口,电磁继电器的交流电输出引脚从外壳引出作为整个装置的电流输出端口。本实用新型的有益效果是:流过较大电流时,消除了直接接通和断开电磁继电器时所产生的较大的EMI尖峰,同时降低了在电磁继电器未接通的情况下输出端存在的通过电磁继电器耦合过来的交流电压,保证了整个装置系统的稳定性和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 延时 隔离 输出 装置 | ||
【主权项】:
1.一种延时隔离输出装置,其特征在于:包括外壳、MOS FET半导体继电器、电磁继电器、数字信号控制器以及供电电源,所述MOS FET半导体继电器、电磁继电器、数字信号控制器以及供电电源均设置在外壳内腔,所述MOS FET半导体继电器与电磁继电器串联,其中所述MOS FET半导体继电器的交流电输入引脚从外壳引出作为与外部交流电电连的整个装置的电流输入端口,所述电磁继电器的交流电输出引脚从外壳引出作为整个装置的电流输出端口;所述数字信号控制器上设有用于接收电平信号的电平信号输入端、用于接收外部串口信息的通讯串口、用于与MOS FET半导体继电器相连的第一信号输出端以及用于与电磁继电器电连的第二信号输出端,所述数字信号控制器的第一信号输出端、第二信号输出端分别通过数字信号控制电路与对应的所述MOS FET半导体继电器的第一信号输入引脚、所述电磁继电器的第二信号输入引脚以及第二供电引脚电连;所述供电电源均为直流供电电源,包括两个12V的第一供电电源和一个5V的第二供电电源,两个所述第一供电电源的输电端分别与所述MOS FET半导体继电器的第一供电引脚、电磁继电器的第二供电引脚电连,实现对MOS FET半导体继电器、电磁继电器的12V供电;所述第二供电电源的输电端与所述数字信号控制器的第三供电引脚电连,实现对数字信号控制器的5V供电。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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