[实用新型]一种双外延超级势垒整流器有效

专利信息
申请号: 201721207222.6 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN207517702U 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 黄彬;陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 申请(专利权)人: 重庆中科渝芯电子有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872
代理公司: 重庆大学专利中心 50201 代理人: 王翔
地址: 401332 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型公开了一种双外延超级势垒整流器,其特征在于:包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述肖特基接触区覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面和第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅电极层覆盖于栅介质层之上。
搜索关键词: 第一导电类型 外延层 导电类型 轻掺杂 体区 覆盖 栅介质层 肖特基接触 栅电极层 衬底层 整流器 重掺杂 势垒 本实用新型 下电极层 电极层
【主权项】:
1.一种双外延超级势垒整流器,其特征在于:包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第一导电类型第二外延层(31)、第二导电类型体区(32)、栅介质层(41)、栅电极层(42)、肖特基接触区(43)和上电极层(50);所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上;所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上;所述第一导电类型第二外延层(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上;所述第二导电类型体区(32)覆盖于轻掺杂第一导电类型第二外延层(31)上的部分表面;所述肖特基接触区(43)覆盖于第二导电类型体区(32)之上的部分表面;所述栅介质层(41)覆盖于第一导电类型第二外延层(31)之上、第二导电类型体区(32)之上的部分表面、肖特基接触区(43)之上的部分表面;所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上;所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)和肖特基接触区(43)之上的部分表面。
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