[实用新型]电池片内置二极管结构、太阳能组件有效
| 申请号： | 201721214304.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207367987U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 韩·瑞津;彭·詹姆斯宇;赖海波 | 申请（专利权）人： | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0443 | 分类号： | H01L31/0443;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 364012 福建省龙岩市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种电池片内置二极管结构、太阳能组件，其中电池片内置二极管结构包括：第一类型掺杂的衬底，所述衬底包括电池区域和二极管区域,所述电池区域围绕所述二极管区域设置，所述电池区域和二极管区域之间设置有绝缘结构；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第一类型掺杂层；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第二类型掺杂层；位于所述电池区域表面的第二类型掺杂层。所述电池片自带旁路二极管，能够提高由该太阳能电池板构成的太阳能组件的发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 内置 二极管 结构 太阳能 组件 | ||
【主权项】：
1.一种电池片内置二极管结构，其特征在于，包括：第一类型掺杂的衬底，所述衬底包括电池区域和二极管区域，所述电池区域围绕所述二极管区域设置，所述电池区域和二极管区域之间设置有绝缘结构；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第一类型掺杂层；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第二类型掺杂层；位于所述电池区域表面的第二类型掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
