[实用新型]具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201721215981.7 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207425863U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管，该晶体管的埋氧层为三段式结构，body下面的BOX与源漏两端处BOX相分离，同时这三段BOX又将有源区和衬底相隔离；与传统SOI工艺相比，本实用新型body处的BOX离衬底底部更近；同时在源、漏两端底部加入P+层，从而使源、漏两端与BOX层隔离。基于上述结构，即使BOX中累积的正电荷达到一定程度，由于源、漏两端被隔离，漏电通道也形成不了，从而有效杜绝了背栅漏电；源、漏两端的P+作为体引出，不仅有效抑制了部分耗尽型SOI器件的浮体效应，而且也降低了器件的体接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 埋氧层 半导体场效应晶体管 本实用新型 三段式 隔离 衬底 三段式结构 漏电 浮体效应 漏电通道 有效抑制 耗尽型 体接触 相分离 正电荷 晶体管 背栅 电阻 三段 源漏 源区 | ||
【主权项】：
1.具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管，其特征在于：包括底部为作为支撑层的硅底层（1）和埋氧层（2）；所述硅底层（1）的上表面中间有一个凹槽，凹槽内生长有一段埋氧层（2），在凹槽两侧的硅底层（1）的上表面还分别生长有埋氧层（2），一共三段埋氧层（2）；位于凹槽内的埋氧层（2）上为硅顶层，位于硅底层（1）的上表面另两段埋氧层（2）的上面生长有P+层（3），P+层（3）上端分别为源极（4）和漏极（5）。
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