[实用新型]基于VCSEL激光二极管的封装基座结构有效
| 申请号： | 201721216251.9 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207409795U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 何兵;罗玉辉 | 申请（专利权）人： | 深圳新亮智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种基于VCSEL激光二极管的封装基座结构，利用VCSEL激光二极管共金焊接至氮化铝基板后再次共金焊接于紫铜镀金支架上，最后盖窗口片进行密封。本实用新型采用二次热电分离，隔绝了氮化铝基板太薄引起的芯片漏电现象；消除封装过程中引脚用胶沾不牢固现象，更容易加工。由于VCSEL激光芯片容易沾灰尘后损坏，为提高VCSEL激光芯片的可靠性特别加了窗口片经高透过率的硅胶的密封，从而使封装后的VCSEL激光二极管更可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 本实用新型 氮化铝基板 封装基座 共金焊接 激光芯片 窗口片 密封 封装过程 高透过率 漏电现象 热电分离 紫铜 硅胶 引脚 支架 镀金 封装 芯片 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于VCSEL激光二极管的封装基座结构，其特征在于，包括VCSEL激光二极管、紫铜镀金支架和氮化铝基板，VCSEL激光二极管共金焊接至氮化铝基板上，所述氮化铝基板共金焊接于紫铜镀金支架上。
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