[实用新型]基于GaN基轴向纳米棒阵列的LED有效
| 申请号： | 201721223022.X | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207183308U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;董海亮;梁建;关永莉;王琳;许并社 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041600 山西省临汾*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种基于GaN基轴向纳米棒阵列的LED，包括衬底；依次生长在衬底上的u‑GaN层和n‑GaN层；生长在n‑GaN层上的GaN基轴向纳米棒阵列，其中，GaN基轴向纳米棒阵列中的每根纳米棒从下至上依次包括n‑GaN段、InGaN/GaN量子碟段、p‑AlGaN电子阻挡段和p‑GaN段；用于覆盖GaN基轴向纳米棒阵列中纳米棒的n‑GaN段、InGaN/GaN量子碟段、p‑AlGaN电子阻挡段和部分p‑GaN段的绝缘层；沉积于绝缘层之上及p‑GaN段上的ITO电流扩展层；设置于n‑GaN层上且位于GaN基轴向纳米棒阵列外围的n面电极；设置于ITO电流扩展层上的p面电极。本实用新型实现了无荧光粉单芯片白光发射；降低了材料的缺陷密度；抑制了量子限制斯塔克效应，提高了发光效率；提高了光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 轴向 纳米 阵列 led | ||
【主权项】：
一种基于GaN基轴向纳米棒阵列的LED，其特征在于，包括：衬底；依次生长在衬底上的u‑GaN层和n‑GaN层；生长在n‑GaN层上的GaN基轴向纳米棒阵列，其中，GaN基轴向纳米棒阵列中的每根纳米棒从下至上依次包括n‑GaN段、InGaN/GaN量子碟段、p‑AlGaN电子阻挡段和p‑GaN段；用于覆盖GaN基轴向纳米棒阵列中纳米棒的n‑GaN段、InGaN/GaN量子碟段、p‑AlGaN电子阻挡段和部分p‑GaN段的绝缘层；沉积于绝缘层之上及p‑GaN段上的ITO电流扩展层；设置于n‑GaN层上且位于GaN基轴向纳米棒阵列外围的n面电极；设置于ITO电流扩展层上的p面电极。
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