[实用新型]一种性能安全可靠的场效应管有效
申请号: | 201721226098.8 | 申请日: | 2017-09-23 |
公开(公告)号: | CN207233745U | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 龙立 | 申请(专利权)人: | 广东瑞森半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/32 |
代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司44220 | 代理人: | 欧阳学仕 |
地址: | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种性能安全可靠的场效应管,所述衬底基片的内侧表面紧密贴覆有陶瓷片,所述陶瓷片的外表面紧密贴覆有铝制散热片,所述铝制散热片、陶瓷片、衬底基片的边缘均贯穿开设有位置对应的通孔,且内部插设有外端部旋紧的限位螺栓,所述衬底基片的左右两侧面还分别开设有插接部和插接凹槽。本实用新型采用陶瓷片与衬底基片相接触,具有导热性能的同时兼具绝缘性能,加设的铝制散热片结构进一步提高了装置的散热性能,不易发生高温损坏事故,性能更加稳定,工作安全可靠,衬底基片采用的插接式设计,使得场效应管装置本体具有了插接、组合安装的能力,满足了使用的需要,提高了工作的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 性能 安全 可靠 场效应 | ||
【主权项】:
一种性能安全可靠的场效应管,包括衬底基片(1),其特征在于:所述衬底基片(1)的顶面内侧装设有两个N型半导体材料块(2),所述N型半导体材料块(2)的上部铺设有薄质的二氧化硅绝缘层(3),所述N型半导体材料块(2)的顶端各接触式引出一个铝电极,分别为源极S(4)和漏极D(5),所述源极S(4)和漏极D(5)之间的二氧化硅绝缘层(3)的上表面加设有铝制导电层(6),所述铝制导电层(6)的顶端也接触式引出电极为栅极G(7),所述衬底基片(1)的内侧表面紧密贴覆有陶瓷片(8),所述陶瓷片(8)的外表面紧密贴覆有铝制散热片(9),所述铝制散热片(9)、陶瓷片(8)、衬底基片(1)的边缘均贯穿开设有位置对应的通孔(10),且内部插设有外端部旋紧的限位螺栓(11),所述衬底基片(1)的左右两侧面还分别开设有插接部(12)和插接凹槽(13)。
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