[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201721240582.6 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN207458949U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王骏;黄中浩;赵永亮;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，属于显示器领域。所述薄膜晶体管包括衬底基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，其特征在于，栅极层包括采用金属材料制成的第一栅极层、以及设置在第一栅极层和栅极绝缘层之间的第二栅极层，第二栅极层为掺杂的半导体材料层。本申请提供的薄膜晶体管的栅极由两个部分组成：采用金属制作的第一栅极层，以及采用掺杂的半导体材料制作第二栅极层，第二栅极层位于第一栅极层和栅极绝缘层之间，将相关设计中栅极与栅极绝缘层界面从金属/SiO变更为半导体/SiO，从而降低了栅极和栅极绝缘层之间的缺陷密度，降低了界面态。另外，通过调整第二栅极层的半导体的掺杂量，可以调整制作出的TFT的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极层 栅极绝缘层 薄膜晶体管 显示装置 阵列基板 掺杂的 半导体 半导体材料 半导体材料层 金属材料 衬底基板 金属制作 阈值电压 掺杂量 界面态 源漏极 源层 显示器 申请 变更 金属 制作 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，其特征在于，所述栅极层包括采用金属材料制成的第一栅极层、以及设置在所述第一栅极层和所述栅极绝缘层之间的第二栅极层，所述第二栅极层为掺杂的半导体材料层。
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