[实用新型]晶片载盘有效
申请号: | 201721247139.1 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN207347657U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 寻飞林;宋长伟;江汉;黄理承;徐志波;黄文宾;李政鸿;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于半导体设备领域,尤其涉及晶片载盘,其在传统的晶片承载盘放置晶片的凹槽内侧部设置可拆卸体,当晶片承载盘在使用过程中,由于撞击等原因导致可拆卸体损坏,直接更换其即可,晶片承载盘的其他部分还可继续使用,从而避免更换整个承载盘,从而造成生产物料的浪费,因此,可以节省晶片的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 晶片 | ||
【主权项】:
1.晶片载盘,至少包括复数个放置晶片的第一凹槽,所述第一凹槽具有侧壁和底部,其特征在于:所述第一凹槽内缘设置有一可拆卸体,所述可拆卸体底部具有第二凹槽,所述第一凹槽侧壁或底部具有一与所述第二凹槽匹配的凸起,所述可拆卸体通过第二凹槽插入凸起内固定于所述第一凹槽的内缘。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的