[实用新型]一种低正向电压TVS器件有效
| 申请号： | 201721251979.5 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN207233732U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低正向电压TVS器件，包括N+型半导体基体、位于N+型半导体基体上方的N‑型外延层和P+型扩散区，N‑型外延层上表面设有氧化层和肖特基势垒，N‑型外延层和P+型扩散区上方用于连接电极T1的金属层，位于N+型半导体基体下方用于连接电极T2的金属层。本实用新型通过将TVS二极管和肖特基二极管并联制作在同一芯片上，利用肖特基二极管进行电源反接保护并利用TVS二极管进行瞬态过压保护,可降低TVS器件的正向压降，提高TVS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正向 电压 tvs 器件 | ||
【主权项】：
一种低正向电压TVS器件，其特征在于：低正向电压TVS器件包括N+型半导体基体，位于N+型半导体基体上方的N‑型外延层，位于N‑型外延层中的P+型扩散区且P+型扩散区的底部延伸至N+型半导体基区内部，位于N‑型外延层上表面的氧化层(1)及肖特基势垒金属层(2)，位于N‑型外延层和P+型扩散区上方设有与接电极T1的金属层(3)，位于N+型半导体基体下方用于连接电极T2的金属层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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