[实用新型]一种改善氧化硅均匀性的晶舟有效
申请号: | 201721252693.9 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN207367941U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 朱华君;张召;王智 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种改善氧化硅均匀性的晶舟,包括环形舟和梯形舟,所述环形舟和梯形舟均为所述晶舟的水平支撑环;所述晶舟由下到上依次设置至少一个梯形舟和至少一个环形舟;所述梯形舟包括内径略小于装载晶圆的半径的梯形舟水平支撑环;所述环形舟包括环形舟水平支撑环和设置于所述环形舟水平支撑环上表面的石英环形支撑件。本实用新型的晶舟的上半部分为环形舟,可以改善梯形舟顶端膜厚均匀性差的问题;下半部分设计为梯形舟,优化了环形舟底端膜厚的均匀性;这样将梯形舟与环形舟结合起来,解决了气体由下往上,由边缘向中心扩散导致的硅片均匀性差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 氧化 均匀 | ||
【主权项】:
1.一种改善氧化硅均匀性的晶舟,其特征在于:包括环形舟(1)和梯形舟(2),所述环形舟(1)和梯形舟(2)均为所述晶舟的水平支撑环;所述晶舟由下到上依次设置至少一个梯形舟(2)和至少一个环形舟(1);所述梯形舟(2)包括内径略小于装载的晶圆的半径的梯形舟水平支撑环(21);所述环形舟(1)包括环形舟水平支撑环(11)和设置于所述环形舟水平支撑环(11)上表面的石英环形支撑件(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造