[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201721266231.2 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN207558796U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 马书英;于大全;王腾 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 韩凤 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种图像传感器,其包括:透明盖板和图像传感器芯片;图像传感器芯片包括硅基板、钝化层、金属线路层以及预切包边结构,硅基板的焊垫所在面键合于透明盖板上,硅基板上开设有通孔,钝化层位于硅基板的另一面上,钝化层延伸至通孔中,金属线路层位于钝化层上,其分布于钝化层的表面并延伸至通孔中与焊垫相连接,预切包边结构包括预切结构以及包边,预切结构分别靠近图像传感器芯片的侧面设置,焊垫位于预切结构之间,包边填充于通孔和预切结构中。本实用新型克服了大量聚合物拉扯焊垫的问题,通过沉积SIN工艺,增加了氧化硅和Si表面的结合力,通过采用预切结构,减少了侧面分层的风险,防止水汽进入。 | ||
搜索关键词: | 预切 钝化层 硅基板 焊垫 通孔 图像传感器芯片 本实用新型 金属线路层 图像传感器 包边结构 透明盖板 包边 侧面设置 聚合物 水汽 结合力 面键合 氧化硅 延伸 分层 沉积 拉扯 填充 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:透明盖板以及键合于所述透明盖板上的图像传感器芯片;所述图像传感器芯片包括硅基板、钝化层、金属线路层以及预切包边结构,所述硅基板的焊垫所在面通过光刻胶键合于所述透明盖板上,所述硅基板上开设有连通所述焊垫的通孔,所述钝化层位于所述硅基板的另一面上,且所述钝化层延伸至所述通孔中,所述金属线路层位于所述钝化层上,其分布于所述钝化层的表面并延伸至所述通孔中与所述焊垫相连接,所述预切包边结构包括纵向贯穿所述图像传感器芯片的预切结构以及包边,所述预切结构分别靠近所述图像传感器芯片的侧面设置,所述焊垫位于所述预切结构之间,所述包边填充于所述通孔和预切结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的