[实用新型]电容器阵列、半导体器件有效
| 申请号： | 201721270885.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN207409480U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种电容器阵列、半导体器件。电容器阵列中的第一支撑层连接电容器的下电极的筒状结构，由于第一支撑层能够延伸至器件区的边界而具备较好的完整性，从而能够对器件区边界处的下电极的筒状结构也能够起到良好的支撑作用，避免位于器件区边界处的下电极的筒状结构发生倾斜或坍塌的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器阵列 筒状结构 器件区 下电极 半导体器件 边界处 支撑层 本实用新型 连接电容器 支撑作用 坍塌 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阵列，其特征在于，包括：一衬底，具有一形成有电容器的器件区和一位于所述器件区外围的外围区；一下电极，设置在所述衬底的所述器件区上，且所述下电极具有多个筒状结构；一第一支撑层，形成在所述衬底的所述器件区上，所述第一支撑层连接所述下电极的多个所述筒状结构，并延伸至所述器件区的边界；一电容介质层，形成在所述下电极的内外表面；及，一上电极，对应于所述下电极的内外表面而形成在所述电容介质层的表面，由所述上电极、所述电容介质层和所述下电极构成电容。
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