[实用新型]成像像素及成像传感器有效
| 申请号： | 201721289642.3 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN207340033U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 尼拉弗·德哈里阿;帕万·吉尔霍特拉 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及成像像素及成像传感器。本实用新型公开了成像传感器可包括被布置成行和列的成像像素阵列。沿同一列布置的成像像素可耦接到列线。所述列线可耦接到抗重迭控制电路。在一种合适的布置中，所述抗重迭控制电路可包括比较器，所述比较器将所述列线上的输出信号与抗重迭偏置电压进行比较。在重置采样周期期间，如果所述列线上的所述输出信号小于所述抗重迭偏置电压，则晶体管可生效，所述晶体管将所述像素中的所述浮动扩散区耦接到电源端子。使用该布置，当满足重迭条件并且来自重置样本的噪声将与入射光样本中的噪声相关时，可以输出至少最小像素级。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 像素 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种成像像素，包括：光电二极管；浮动扩散区；转移晶体管，所述转移晶体管被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区；源极跟随器晶体管，其中所述浮动扩散区耦接到所述源极跟随器晶体管，并且其中所述源极跟随晶体管耦接到列输出线；和晶体管，所述晶体管耦接在所述浮动扩散区和电源端子之间，其中所述晶体管具有栅极，并且其中所述晶体管的所述栅极从耦接到所述列输出线的比较器接收控制信号。
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