[实用新型]一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉有效
| 申请号： | 201721304279.8 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN207442181U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉，涉及光电子领域，其中硅热沉包括一硅片，所述硅片的正、反面均抛光，硅片的正面上方由下往上依次设有第一二氧化硅层、第一氮化硅层，硅片的反面下方由上往下依次设有第二二氧化硅层、第二氮化硅层，所述第一氮化硅层上制作有金属电路，所述第二氮化硅层上制作有背面金锡层，该金属电路与背面金锡层之间由通孔电路连接，本实用新型的目的在于，提出一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉，通过改变硅热沉结构，使得本实用新型具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，工艺周期更短，特别是能满足高频激光器的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅热沉 高频激光器 氮化硅层 硅片 大功率半导体 封装 本实用新型 二氧化硅层 金属电路 热导率 锡层 背面 光电子领域 电路连接 工艺周期 抛光 通孔 制作 | ||
【主权项】：
1.一种大功率半导体高频激光器封装用的硅热沉，其特征在于，包括一硅片，所述硅片的正、反面均抛光，硅片的正面上方由下往上依次设有第一二氧化硅层、第一氮化硅层，硅片的反面下方由上往下依次设有第二二氧化硅层、第二氮化硅层，所述第一氮化硅层上制作有金属电路，所述第二氮化硅层上制作有背面金锡层，该金属电路与背面金锡层之间由通孔电路连接。
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