[实用新型]运用硅通孔结构的新型切皮雪夫滤波器

摘要

本实用新型公开一种运用硅通孔结构的新型切皮雪夫滤波器。本实用新型为运用多导体硅通孔构造的一种片上螺线管式电感元件，使用同轴硅通孔做电容器来设计低通滤波器结构。本实用新型的优点是运用同轴多导体硅通孔构造电容器，减小元件物理尺寸，同轴多导体硅通孔的金属内芯可以同时实现螺旋电感和端口的垂直互连，减少了硅通孔的使用数目，从而进一步减小占用面积；通过本实用新型所提出的低通滤波器结构，可改变同轴硅通孔中绝缘层的使用材料增大电容值，可以通过垂直互连技术减小互连线的尺寸，从而提高滤波器的整体性能。

主权项

1.运用硅通孔结构的切皮雪夫滤波器，由多个元件单元构成，输入输出端口位于基底顶部的重新构建层；其特征在于：所述的元件单元从上至下依次包括基底顶部重新构建层、多导体硅通孔阵列(600)、基底底部重新构建层，其中基底顶部重新构建层从上至下依次包括基底顶部螺旋电感(200)、顶部连接基板(500)，基底底部重新构建层从上至下依次包括底部连接基板(700)、基底底部螺旋电感(800)；顶部连接基板(500)包括上层基板组件(300)、下层基板组件(400)；上层基板组件(300)从左至右依次包括上层第一基板(305)、上层第二基板(306)、上层第三基板(307)，上述三块基板平行设置且互不连接；上层第一基板(305)的左侧设有信号输入端口(301)，顶面设有连接金属块(303)，用于连接基底顶部螺旋电感(200)的外端口(201)；上层第二基板(306)的顶面设有连接金属块(304)，用于连接基底顶部螺旋电感(200)的内端口(202)；上层第三基板(307)右侧设有信号输出端口(302)；下层基板组件(400)从左至右依次包括下层第一基板(413)、下层第二基板(414)、下层第三基板(415)，上述三块基板平行设置且通过连接板连接；下层第一基板(413)的左侧设有第一电流返回端口(401)，顶面设有三块等间距设置的连接金属块(403‑405)，通过上述连接金属块与上层第一基板(305)连接；下层第二基板(414)顶面设有四块等间距设置的连接金属块(406‑409)，通过上述连接金属块与上层第二基板(306)连接；下层第三基板(415)的右侧设有第二电流返回端口(402)，顶面设有三块等间距设置的连接金属块(410‑412)，通过上述连接金属块与上层第三基板(306)连接；上层基板组件(300)、下层基板组件(400)经连接金属块403‑412连接；第一电流返回端口(401)与信号输入端口(301)封装连接构成顶部连接基板(500)的输入端口(501)，该端口(501)作为滤波器的输入端口或与下一个元件单元的输出端口连接；第二电流返回端口(402)与右侧信号输出端口(302)封装连接构成顶部连接基板(500)的输出端口(502)，该端口(502)作为滤波器的输出端口或与下一个元件单元的输入端口连接；底部连接基板(700)包括左侧基板(708)、右侧基板(709)，上述两块基板平行设置且互不连接；左侧基板(708)的顶面设有四块等间距设置的连接金属块(701‑704)，右侧基板(709)的顶面设有三块等间距设置的连接金属块(705‑707)；左侧基板(708)、右侧基板(709)底面位置分别设有连接金属块(710、711)，分别用于连接基底顶部螺旋电感(800)的内端口(801)、外端口(802)；多导体硅通孔阵列(600)包括平行设置且互不连接的第一、二、三列多导体硅通孔阵列；第一列多导体硅通孔阵列包括三根等间距设置且互不连接的多导体硅通孔(601‑603)，第二列多导体硅通孔阵列包括四根等间距设置且互不连接的多导体硅通孔(604‑607)，第三列多导体硅通孔阵列包括三根等间距设置且互不连接的多导体硅通孔(608‑610)；第一列多导体硅通孔阵列的三根多导体硅通孔(601‑603)顶部分别通过连接金属块(611‑613)与下层第一基板(413)底面连接，即接下层第一基板(413)的第一电流返回端口(401)；第二列多导体硅通孔阵列的四根多导体硅通孔(604‑607)顶部分别通过连接金属块(614‑617)与下层第二基板(414)底面连接，多导体硅通孔底部通过连接金属块(701‑704)与左侧基板(708)顶面连接；第三列多导体硅通孔阵列的三根多导体硅通孔(608‑610)顶部分别通过连接金属块(618‑620)与下层第三基板(415)底面连接，下层第三基板415通过连接金属块与上层第三基板(307)底面连接，即接上层第三基板(307)的信号输出端口(302)，多导体硅通孔底部通过连接金属块(705‑707)与右侧基板(709)顶面连接。