[实用新型]半导体器件结构

摘要

本实用新型涉及半导体器件结构。提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括具有第一主表面和相反的第二主表面的半导体材料区域。接触结构设置在所述半导体材料区域的第一部分中，并且包括从邻近所述第一主表面的第一部分延伸的槽结构。包括所述半导体材料区域的部分的多个结构从所述槽结构的下表面向外延伸。在一些实施方案中，所述多个结构包括多个独立式结构。导电材料设置在所述槽结构内并且横向围绕所述多个结构。在一个实施方案中，所述接触结构有助于制造具有低电阻衬底接触的单片串联开关二极管结构。本实用新型可以降低组装成本和循环时间，同时提供较小的封装结构。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括：半导体材料区域，所述半导体材料区域包括具有第一导电类型的半导体衬底和邻近所述半导体衬底设置的具有与所述第一导电性相反的第二导电类型的半导体层，所述半导体层限定第一主表面，并且所述半导体衬底限定相反的第二主表面；所述第一导电类型的第一掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第一部分中；所述第二导电类型的第二掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第二部分中；所述第二导电类型的第三掺杂区域，其设置在所述半导体层的邻近所述第一主表面的第三部分中；和衬底接触结构，所述衬底接触结构从邻近所述第一主表面延伸到所述半导体衬底，其中：所述衬底接触结构电耦接到所述第二掺杂区域以在所述第二掺杂区域和所述半导体衬底之间提供电连通；所述第一掺杂区域、所述半导体层和所述第二掺杂区域被构造为横向二极管结构；所述第三掺杂区域、所述半导体层和所述半导体衬底被构造为竖直二极管结构；并且所述第二主表面为所述横向二极管结构和所述竖直二极管结构两者提供公共电极。