[实用新型]阵列绑定区结构有效
申请号: | 201721310904.X | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN207269024U | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 尚琼;宋英伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人: | 张秋红,王少虹 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阵列绑定区结构,包括基板、设置在所述基板上的金属叠层、设置在所述基板上并覆盖所述金属叠层边缘的绝缘叠层、设置在所述金属叠层上的像素电极层、设置在所述绝缘叠层上并覆盖所述像素电极层边缘的像素定义层、以及设置在所述像素电极层上的金属保护叠层。本实用新型的阵列绑定区结构,通过在金属叠层上增设像素电极层对其进行保护,并且在像素电极层上设置金属保护叠层对像素电极层进行保护,扩大金属叠层的材料选择范围,在对阵列绑定区保护的同时无需增加额外的制程。 | ||
搜索关键词: | 阵列 绑定 结构 | ||
【主权项】:
一种阵列绑定区结构,其特征在于,包括基板(10)、设置在所述基板(10)上的金属叠层(20)、设置在所述基板(10)上并覆盖所述金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、设置在所述金属叠层(20)上的像素电极层(40)、设置在所述绝缘叠层(30)上并覆盖所述像素电极层(40)边缘的像素定义层(50)、以及设置在所述像素电极层(40)上的金属保护叠层(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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