[实用新型]一种基于MOSFET的故障隔离开关电路及系统有效
| 申请号： | 201721314238.7 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN208112498U | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨宇帆 | 申请（专利权）人： | 四川升华电源科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H03K17/687 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于MOSFET的故障隔离开关电路及系统，所述开关电路包括外部信号端、内部信号端、内部控制信号端，外部信号端与电阻R1的第一端相连，电阻R1的第二端与MOSFET的第一端相连，MOSFET的第二端与内部信号端相连，MOSFET的第三端与内部控制信号端相连，MOSFET的第二端通过电阻R2连接电源正极。本实用新型的有益效果是：实现了可控的故障隔离开关的功能，并充分利用MOSFET高输入阻抗的特性，避免了内部控制信号对内部信号或外部信号的直流电平产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 内部控制信号 开关电路 内部信号 电阻 本实用新型 故障隔离 信号端 外部 正极 故障隔离开关 直流电 高输入阻抗 连接电源 可控的 | ||
【主权项】：
1.一种基于MOSFET的故障隔离开关电路，其特征在于，所述故障隔离开关电路包括外部信号端、内部信号端、内部控制信号端，外部信号端与电阻R1的第一端相连，电阻R1的第二端与MOSFET的第一端相连，MOSFET的第二端与内部信号端相连，MOSFET的第三端与内部控制信号端相连，MOSFET的第二端通过电阻R2连接电源正极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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