[实用新型]一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台有效
| 申请号： | 201721343049.2 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN207637755U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 周文权 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台，适用于半导体湿法刻蚀工艺，包括：支撑结构，支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；喷嘴装置，设置于支撑面的上方，于喷嘴装置包括一水平设置的盘体，盘体朝向支撑面的一面均布有多个喷嘴，盘体背向支撑面的一面连接一液体输送管。其有益效果在于：通过优化蚀刻装置的喷嘴装置，增加多个喷嘴，改变了晶圆边沿的化学溶液的流量，从而提升晶圆的蚀刻率，改变晶圆的均匀度，保证产品均匀度在可控的安全质量标准之内，减少报废风险。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 喷嘴装置 盘体 湿法刻蚀机台 旋转蚀刻 支撑结构 支撑 喷嘴 均匀度 半导体湿法 本实用新型 液体输送管 化学溶液 刻蚀工艺 蚀刻装置 水平设置 质量标准 可控的 蚀刻率 支撑面 均布 刻蚀 报废 优化 安全 保证 | ||
【主权项】：
1.一种旋转蚀刻装置，适用于半导体湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括：支撑结构，所述支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆；喷嘴装置，设置于所述支撑面的上方，于所述喷嘴装置包括一水平设置的盘体，所述盘体朝向所述支撑面的一面均布有多个喷嘴，所述盘体背向所述支撑面的一面连接一液体输送管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
