[实用新型]新型扩散炉湿氧扩散装置有效
| 申请号： | 201721344053.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN207303041U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赵卫东;赵枫;赵雅;郭盼盼;杨冬琴;李永仓 | 申请（专利权）人： | 江苏东鋆光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214421 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型扩散炉湿氧扩散装置，它包括低恒温槽和高恒温槽，在所述低恒温槽和高恒温槽中分别设置有源瓶和水汽瓶，所述源瓶和水汽瓶上均设置有出气口和进气口，出气口位于液面上方，进气口位于液面下方，所述源瓶的进气口与氮气气源连接，出气口与扩散炉的气体入口相连，扩散炉的气体入口同时与氧气气源连接。本实用新型在扩散过程中导入湿法氧化过程，不仅可以一定程度上降低源量，同时形成的较厚的氧化层可以很好降低表面扩散P的浓度，提高表面杂质分布的均匀性，形成较低表面浓度的PN结，并在增加扩散硅片数量的同时确保扩散均匀性，确保PN质量的同时提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 扩散 炉湿氧 装置 | ||
【主权项】：
一种新型扩散炉湿氧扩散装置，其特征在于：它包括低恒温槽(1)和高恒温槽(2)，在所述低恒温槽(1)和高恒温槽(2)中分别设置有源瓶(3)和水汽瓶(4)，所述源瓶(3)和水汽瓶(4)上均设置有出气口(5)和进气口(6)，且所述水汽瓶(4)上设置有加水口(7)，出气口(5)位于液面上方，进气口(6)位于液面下方，所述进气口(6)与氮气气源连接，出气口(5)与扩散炉(8)的气体入口相连，扩散炉(8)的气体入口同时与氧气气源连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
