[实用新型]自分光式非线性光频变换器有效

专利信息
申请号: 201721352321.3 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN207338896U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 曲大鹏;任广胜;窦微;陈晴;邓岩;郑权;周凯 申请(专利权)人: 长春新产业光电技术有限公司
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;G02F1/355;G02B1/11
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 代理人: 王薇
地址: 130012 吉林省*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 实用新型涉及一种自分光式非线性光频变换器,由第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体组成,其特征在于:第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体为相同材料的单轴晶体,单轴晶体为偏硼酸系单轴晶体,第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体键合成一个块状晶体;块状晶体具有5个特征面,5个特征面均经过光学精密抛光,其中第一部分单轴晶体为倍频部分,倍频部分包含第一特征面,第二特征面和第三特征面,还包括最佳倍频匹配角θ方向与第一部分晶体z轴形成的主平面A;其同时实现了光频变换和晶体内分离倍频光与基频光两个功能,使倍频产生的短波长激光与基频光在晶体的不同位置出射,避免了短波长激光对晶体出光界面的损伤影响到基频光,可适用于激光器腔外倍频也可以适用于腔内倍频中,插入损耗低。
搜索关键词: 分光 非线性 变换器
【主权项】:
1.自分光式非线性光频变换器,由第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体组成,其特征在于:第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体为相同材料的单轴晶体,单轴晶体为偏硼酸系单轴晶体,第一部分单轴晶体和第二部分单轴晶体键合成一个块状晶体;块状晶体具有5个特征面,5个特征面均经过光学精密抛光,其中第一部分单轴晶体为倍频部分,倍频部分包含第一特征面,第二特征面和第三特征面,还包括最佳倍频匹配角θ方向与第一部分晶体z轴形成的主平面A;第二部分晶体为自分光部分, 自分光部分包含第四特征面和第五特征面,自分光部分的 z轴同时平行于倍频部分的晶体主平面A和第四特征面;第一特征面为入射面,基频光以满足晶体最佳倍频非线性匹配角θ方向进入晶体倍频部分,自分光部分的结晶学光轴与倍频部分的主平面A平行,且与倍频部分的基频光最佳非线性匹配角θ方向垂直;第二特征面与主平面A的夹角为θm,第三特征面与第二特征面的夹角范围为[90°+θm- atan(n0/n1)]至(90°-θm),n0为基频光在空气中的折射率,n1为基频光在晶体倍频部分的折射率,倍频部分晶体与自分光部分晶体的交界面M由第四特征面与第二特征面通过键合形成,即第二特征面与第四特征面与交界面M重合,交界面M两侧分别为倍频部分晶体和自分光部分晶体,第五特征面为基频光出射面,与主平面A夹角为[90°-atan(n0/n2)],第五特征面的表面蒸镀有一层基频光减反膜;n0为基频光在空气中的折射率,n2为基频光在晶体自分光部分的折射率;倍频部分的基频光最佳非线性匹配角θ方向与该倍频部分的结晶学光轴形成主平面A,则交界面M与所述主平面A的夹角为θm,第二特征面和第四特征面与主平面A之间的关系为θm≤[90°-asin(n4/n3)],n3为倍频光在晶体倍频部分的折射率,n4为倍频光在晶体自分光部分的折射率。
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