[实用新型]一种用于限流的七芯片整流器有效
申请号: | 201721353732.4 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN207490769U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 方爱俊 | 申请(专利权)人: | 常州港华半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H05K7/20;H01L25/16 |
代理公司: | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人: | 乔楠 |
地址: | 213200 江苏省常州市金坛市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及整流器的技术领域,特别地涉及一种用于限流的七芯片整流器,包括:底座,壳体,壳体上开设有若干空心槽,三个芯片电极组件,芯片电极组件包括:第一陶瓷基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第一半导体电极,第二半导体电极,第二陶瓷基板,第一可控硅电极,连接电极,可控硅芯片位于第二半导体芯片一侧,第二可控硅电极包括:依次连接的第四固定部、第四连接部和第五焊接部,第五焊接部固定连接于可控硅芯片上表面,第四固定部穿过空心槽并折弯,固定件,固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接,固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯,解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时,电容的充电电流较大会损坏产品的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体芯片 可控硅芯片 固定件 空心槽 整流器 壳体 半导体电极 陶瓷基板 芯片电极 电极 固定部 焊接部 可控硅 限流 折弯 芯片 穿过 大功率整流器 本实用新型 充电电流 连接电极 滤波电容 上下两侧 依次连接 组件包括 电容 上表面 底端 底座 开机 | ||
【主权项】:
一种用于限流的七芯片整流器,其特征在于包括:底座(1),壳体(2),所述壳体(2)上开设有若干空心槽(3),三个芯片电极组件,所述芯片电极组件包括:第一陶瓷基板(4)、第一半导体芯片(5)、第二半导体芯片(6)和第一半导体电极(7),所述第一陶瓷基板(4)固定于底座(1)上,所述第一半导体芯片(5)和第二半导体芯片(6)均设置在第一陶瓷基板(4)上方,所述第一半导体电极(7)包括:依次连接的第一固定部(71)、第一连接部(72)、第一焊接部(73)、折弯部(74)和第二焊接部(75),所述第二焊接部(75)固定连接于第二半导体芯片(6)上方,所述第一焊接部(73)固定连接于第一半导体芯片(5)与第一陶瓷基板(4)之间,所述第一固定部(71)穿过空心槽(3)并折弯,第二半导体电极(8),所述第二半导体电极(8)包括:依次连接的第二固定部(81)、第二连接部(82)和三个第三焊接部(83),一个所述第三焊接部(83)对应一个芯片电极组件,所述第三焊接部(83)固定于第二半导体芯片(6)与第一陶瓷基板(4)之间,第二陶瓷基板(9),所述第二陶瓷基板(9)固定连接于底座(1)上,所述第二陶瓷基板(9)设置在相邻两个第一陶瓷基板(4)之间,第一可控硅电极(10),所述第一可控硅电极(10)包括:依次连接的第三固定部(101)、第三连接部(102)和第四焊接部(103),所述第四焊接部(103)固定于第二陶瓷基板(9)上方,所述第三固定部(101)穿过空心槽(3)并折弯,连接电极(11),所述连接电极(11)与每个第一半导体芯片(5)的上表面连接,所述连接电极(11)与位于第一半导体电极(7)侧的第四焊接部(103) 上表面连接,可控硅芯片(12),所述可控硅芯片(12)固定于第四焊接部(103)上,所述可控硅芯片(12)位于第二半导体芯片(6)一侧,第二可控硅电极(13),所述第二可控硅电极(13)包括:依次连接的第四固定部(131)、第四连接部(132)和第五焊接部(133),所述第五焊接部(133)固定连接于可控硅芯片(12)上表面,所述第四固定部(131)穿过空心槽(3)并折弯,固定件(14),所述固定件(14)用于底端通过引线与可控硅芯片(12)连接,所述固定件(14)穿过空心槽(3)并在壳体(2)上下两侧折弯。
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