[实用新型]一种新型带隙基准源电路有效

专利信息
申请号: 201721365466.7 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN207601665U 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 马红玲;王岩琴;崔洪艺 申请(专利权)人: 宁波德晶元科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 代理人: 龙洋
地址: 315104 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种新型带隙基准源电路,该电路包括:负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路;所述负反馈放大电路包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器;所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与电压VDD端连接;所述第一MOS管M1及第二MOS管M2连接至运算放大器;所述第一镜像电路包括:第一PNP型三极管Q1;所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接;所述第二镜像电路包括:第二PNP型三极管Q2;所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接;所述第二MOS管M2连接至基准电压输出端。与现有技术相比,该电路可以降低电流和功耗,节省面积,减少工艺的复杂程度。
搜索关键词: 镜像电路 带隙基准源电路 负反馈放大电路 运算放大器 电阻 电路 本实用新型 基准电压 输出端 功耗
【主权项】:
1.一种新型带隙基准源电路,其特征在于,包括:负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路;所述负反馈放大电路包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器;所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与电压VDD端连接;所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与运算放大器连接;所述第一镜像电路包括:第一PNP型三极管Q1;所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接;所述第二镜像电路包括:第二PNP型三极管Q2;所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接;所述第二MOS管M2连接至基准电压输出端;所述第一MOS管M1的漏极通过第一电阻R1连接至第一PNP型三极管Q1的发射极;所述第一PNP型三极管Q1的集电极接地;所述第二MOS管M2的漏极通过第二电阻R2连接至第二PNP型三极管Q2的发射极;所述第二PNP型三极管Q2的集电极接地;所述第一PNP型三极管Q1及第二PNP型三极管Q2的基极并联接地;所述第一PNP型三极管Q1的发射极通过第一电阻R1还连接至运算放大器的同相输入端;所述第二PNP型三极管Q2的发射极还连接至运算放大器的反相输入端;所述电压VDD端分别连接至第一MOS管M1与第二MOS管M2的源极;所述运算放大器的输出端分别连接至第一MOS管M1与第二MOS管M2的栅极;所述第二MOS管M2的漏极连接至基准电压输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波德晶元科技有限公司,未经宁波德晶元科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721365466.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top