[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201721370434.6 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN207338378U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 李炳熙 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及图像传感器。为了增加角度响应或者以其他方式定制所述相位检测像素对入射光的响应,所述图像传感器可包括光学结构。所述光学结构可形成在微透镜与至少第一光电二极管和第二光电二极管之间以重新导向所述微透镜和所述光电二极管之间的入射光。所述光学结构可包括具有不同折射率的两个或更多个层。例如,二氧化硅的层和氮化硅的层可形成凹透镜,所述凹透镜增加相位检测像素的所述角度响应。所述光学结构可具有任何期望的形状以定制所述光电二极管对入射光的所述响应。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底;至少第一和第二光电二极管,其形成在所述衬底中;微透镜,所述微透镜覆盖所述至少第一和第二光电二极管;滤色器层,所述滤色器层插置在所述微透镜与所述至少第一和第二光电二极管之间;以及光学结构,所述光学结构插置在所述滤色器层与所述至少第一和第二光电二极管之间,其中所述光学结构重新导向所述滤色器层与所述至少第一和第二光电二极管之间的入射光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721370434.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种操作简便、传输高效的变速器
- 下一篇:适用于潮湿环境的滤波器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的