[实用新型]一种发光效率高的LED外延结构

摘要

本实用新型公开了一种发光效率高的LED外延结构，包括衬底以及层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂Si的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层，还包括层叠在N型GaN层和有源层之间的V型开角层，V型开角层为由掺In的InxGa1‑xN层和掺Ga杂质层间隔交替形成的超晶格层，0<X<1，超晶格层的层数不小于3，V型开角层的厚度小于500nm；本实用新型在N型GaN层和有源层之间设置了一层V型开角层，使V型缺陷在V型开角层所在的方向上延伸，能够增大开角，从而在侧壁方向上生长更快，降低了局部电流，能够有效的拦截电子，抑制电子溢出，提高LED的发光效率。

主权项

1.一种发光效率高的LED外延结构，包括衬底(200)以及层叠在所述衬底(200)上的缓冲层(201)、未掺杂Si的U型GaN层(202)、掺杂Si的N型GaN层(203)、有源层(205)、电子阻挡层(206)和P型GaN层(207)，其特征在于：还包括层叠在所述N型GaN层(203)和有源层(205)之间的V型开角层(204)，所述V型开角层(204)为由掺In的InxGa1-xN层(2041)和掺Ga杂质层(2042)间隔交替形成的超晶格层，其中0&lt;X&lt;1，所述超晶格层的层数不小于3，所述V型开角层(204)的厚度小于500nm。