[实用新型]一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201721381870.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338421U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片，包括衬底、缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，其中p型半导体层包含由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜。通过在p型半导体层中加入Ag金属膜，能够促进横向过生长，诱导位错湮灭，从而提高P‑GaN薄膜的质量，同时能够提高LED的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 薄膜 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置n型半导体层、量子阱和p型半导体层；所述p型半导体层包括底层P-GaN层、顶层P-GaN层和由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜，所述Ag金属膜位于底层P-GaN层和顶层P-GaN层之间，所述底层P-GaN层设置在量子阱上。
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