[实用新型]功率半导体芯片有效
| 申请号： | 201721383406.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN207367972U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 晋虎;万欣;李豪;高良;孙永生;杨春益;吴善龙 | 申请（专利权）人： | 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 314050 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体芯片，包括：环形的结终端区域，位于所述功率半导体芯片边缘；由所述结终端区域包围的元胞区域，所述元胞区域内形成有元胞阵列，所述元胞为功率晶体管；所述元胞区域包括两个以上子区域，其中一个子区域为中心子区域，位于元胞区域中心处，其它子区域为环形，依次环绕于所述中心子区域设置；同一子区域内的元胞沟道长度相同，且中心子区域内的元胞沟道长度小于其他子区域内的元胞沟道长度。上述功率半导体芯片工作过程中热量分布均匀，可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体芯片，其特征在于，包括：环形的结终端区域，位于所述功率半导体芯片边缘；由所述结终端区域包围的元胞区域，所述元胞区域内形成有元胞阵列，所述元胞为功率晶体管；所述元胞区域包括两个以上子区域，其中一个子区域为中心子区域，位于元胞区域中心处，其它子区域为环形，依次环绕于所述中心子区域设置；同一子区域内的元胞沟道长度相同，且中心子区域内的元胞沟道长度小于其他子区域内的元胞沟道长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
