[实用新型]一种CIGS背电极Mo‑Na合金层沉积装置

摘要

本实用新型涉及一种在生产铜铟镓硒薄膜太阳能背电极中磁控溅射沉积Mo‑Na合金层的装置，其特征在于包括一真空腔室，该真空腔室内从其进口端向出口端设置有传送辊道，且真空腔室内对应于传送辊道的上方设有Mo‑Na合金层磁控溅射装置；真空腔室的进口端上隔设有进口隔离单元，真空腔室的进口端经进口隔离单元连接底层Mo导电层磁控溅射室；真空腔室的出口端上隔设有出口隔离单元，真空腔室的出口端经出口隔离单元连接上层Mo导电层磁控溅射室；所述进口隔离单元和出口隔离单元至少包括一用于封断真空腔室的进口端或出口端的隔离板，该隔离板上设有用于传送的狭缝，该狭缝上封盖有门阀。

主权项

一种CIGS背电极Mo‑Na合金层沉积装置，其特征在于：包括一真空腔室，该真空腔室的一端作为进口端，另一端作为出口端，真空腔室内从其进口端向出口端设置有传送辊道，且真空腔室内对应于传送辊道的上方设有Mo‑Na合金层磁控溅射装置；所述真空腔室的进口端上隔设有进口隔离单元，真空腔室的进口端经进口隔离单元连接底层Mo导电层磁控溅射室；所述真空腔室的出口端上隔设有出口隔离单元，真空腔室的出口端经出口隔离单元连接上层Mo导电层磁控溅射室；所述进口隔离单元和出口隔离单元至少包括一用于封断真空腔室的进口端或出口端的隔离板，该隔离板上设有用于传送的狭缝，该狭缝上封盖有门阀。