[实用新型]一种半导体激光器无源对准耦合封装基板有效
| 申请号： | 201721389525.4 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN207440345U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器无源对准耦合封装基板，涉及光电子器件领域，包括一硅衬底，硅衬底一端设有定位V型槽，该定位V型槽的两侧镀有金属电路薄膜，硅衬底的另一端有硅刻蚀形成的台阶型直槽,该直槽深度在200~400um，直槽上贴合有厚度与直槽深度相匹配的贴合部件，直槽底部上设有贴合部件用于贴合所需的对准标记，贴合部件为焊接有激光器的氮化铝陶瓷基板，激光器高频传输电路，集成在陶瓷基板区域。本实用新型利用硅的易加工特性，腐蚀出高精度定位V型槽，可以在定位V型槽的两侧根据需求分布精度很高的金属电路薄膜，在其另一端刻蚀出直槽，直槽上有对准标记，载有半导体激光器的陶瓷基板利用对准标记高精度贴合在直槽上，完全规避硅衬底上的高频缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 直槽 硅衬底 半导体激光器 对准标记 贴合部件 贴合 无源对准耦合 封装基板 金属电路 陶瓷基板 激光器 刻蚀 薄膜 氮化铝陶瓷基板 光电子器件领域 高频传输电路 本实用新型 高精度定位 台阶型 易加工 焊接 匹配 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器无源对准耦合封装基板，其特征在于，包括一硅衬底，所述硅衬底一端设有定位V型槽，该定位V型槽的两侧镀有金属电路薄膜，所述金属电路薄膜厚度在0.5~2μm，所述硅衬底的另一端有硅刻蚀形成的台阶型直槽, 该直槽深度在200~400μm，所述直槽上贴合有厚度与直槽深度相匹配的贴合部件，直槽底部上设有贴合部件用于贴合所需的对准标记，所述贴合部件为焊接有激光器的氮化铝陶瓷基板，激光器高频传输电路，集成在陶瓷基板区域。
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