[实用新型]用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路有效
| 申请号： | 201721417031.2 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207304508U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘树林;员翠平;曹剑;黄治;徐丹丹;汪倩倩 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路，包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；NPN型三极管Q2的基极通过电容C2与NMOS管Q3的漏极连接，NPN型三极管Q2的集电极与待驱动的PMOS管的源极连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R2的另一端和待驱动的PMOS管的栅极连接。本实用新型电路结构简单，实现方便且成本低，能够有效保证PMOS管快速导通与关断，电路工作效果高，工作可靠性高，实用性强，市场前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 功率 pmos 开关 速度 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路，其特征在于：包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端为外部PWM驱动信号的输入端，所述NMOS管Q3的源极接地，所述NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；所述NPN型三极管Q2的基极通过电容C2与所述NMOS管Q3的漏极连接，所述NPN型三极管Q2的集电极与外部电源的正极输出端和待驱动的PMOS管的源极连接，所述NPN型三极管Q2的发射极与电阻R2的另一端和待驱动的PMOS管的栅极连接；所述电阻R1并接在所述NPN型三极管Q2的集电极与发射极之间，所述电阻R4并接在所述NMOS管Q3的栅极与源极之间；所述肖特基二极管D2的阳极与所述NPN型三极管Q2的发射极连接，所述肖特基二极管D2的阴极与所述NPN型三极管Q2的基极连接。
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