[实用新型]一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构有效
| 申请号： | 201721427178.X | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN207664049U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;阙陶陶 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构。本实用新型利用二次外延高温生长的过程中，掩膜层与GaN界面形成的一层致密的介质层，有效地钝化了GaN材料表面悬挂键，在后续工艺过程中减少了Ga‑O键的进一步形成，从而改善了器件的性能。所述外延层包括一次外延生长的GaN外延层基板以及选择区域二次外延生长的非掺杂GaN外延层、异质结势垒层。所述凹槽栅由二次外延生长接入区材料时自然形成。栅极绝缘介质层覆盖在凹槽沟道、二次外延层的侧壁及表面之上，通过刻蚀绝缘层的两端形成源、漏极区域，再通过金属蒸镀形成欧姆接触电极。本实用新型利用选择区域外延技术制备了具有高质量界面的槽栅MOS器件，明显地提高了器件的阈值电压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 外延生长 外延层 致密 欧姆接触电极 选择区域外延 半导体器件 绝缘介质层 刻蚀绝缘层 异质结势垒 凹槽沟道 高温生长 后续工艺 界面形成 金属蒸镀 漏极区域 选择区域 一次外延 自然形成 阈值电压 非掺杂 介质层 悬挂键 掩膜层 有效地 槽栅 侧壁 钝化 基板 制备 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构，其特征在于，包括在衬底（1）上一次外延生长一层GaN外延层基板（2），在GaN外延层基板（2）上沉积一层掩膜材料（9）并形成图形化的掩膜（10），利用二次外延生长非掺杂GaN外延层（3）、异质结势垒层（4），去除图形化掩膜（10）并自然形成凹槽，沉积一层栅极绝缘介质层（5），该介质层覆盖在凹槽沟道、二次外延层的侧壁及表面之上，通过金属蒸镀形成源极（6）和漏极（7）以及栅极（8）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721427178.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
