[实用新型]一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构

摘要

本实用新型提出一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，在所述第一导电类型外延层的沟槽分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅和位于栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括渐变氧化层及渐变氧化层包裹的屏蔽栅；本实用新型提出的屏蔽栅MOS结构，屏蔽栅两侧的氧化层的结构采用渐变氧化层，可提高器件耐压，降低导通电阻，同时可降低器件的寄生电容，优化器件的开关特性，同时可减小芯片面积，节约成本。

主权项

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，所述MOSFET器件单元体包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），所述第一导电类型外延层（2）的上表面为半导体基板的第一主面（001），第一导电类型重掺杂衬底（1）的下表面为半导体基板的第二主面（002），在第一导电类型外延层（2）内沿着第一主面（001）指向第二主面（002）的方向设有沟槽（4），所述沟槽（4）两侧均设有第二导电类型体区（9），所述第二导电类型体区（9）设于第一导电类型外延层（2）内，且内部设有第一导电类型源极区（10），所述第一导电类型源极区（10）位于沟槽（4）左右两侧且邻接，在所述沟槽（4）和第一导电类型源极区（10）上方设有绝缘介质层（11），所述绝缘介质层（11）两侧设有源极接触孔（6），所述源极接触孔（6）内填充有金属，形成源极金属（12），所述源极金属（12）穿过源极接触孔（6）与第二导电类型体区（9）接触，且与第一导电类型源极区（10）欧姆接触，其特征在于，所述沟槽（4）分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅（7）和位于栅极导电多晶硅（7）两侧的栅氧化层（8），下部分包括渐变氧化层（3）及渐变氧化层（3）包裹的屏蔽栅（5）。