[实用新型]一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 201721446186.9 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN207376142U 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 陈华荣 申请(专利权)人: 福建北电新材料科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362211 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置,包括坩埚、坩埚盖、碳毡保温层、感应线圈,碳毡保温层包覆所述坩埚,所述感应线圈围绕碳毡保温层设置,所述坩埚盖内侧中心形成表面粘合有籽晶的凸台,所述凸台上环绕套设有一夹套,所述凸台侧壁开设有通气孔和排气孔,所述坩埚盖外侧连接气管,气管与通气孔和排气孔连通,所述夹套由左夹套和右夹套组成,所述左夹套和右夹套通过插销固定连接,所述左夹套和右夹套上分布有导气孔。本实用新型带有导气孔的夹套在生长前除杂时通入氩气气流阻挡了杂质颗粒,避免杂质颗粒附着在籽晶上,导致各种位错缺陷增多,在生长时起到导流作用,使得到达边缘的蒸气沿着导气孔导出,避免边缘多晶。
搜索关键词: 一种 高纯 绝缘 碳化硅 生长 装置
【主权项】:
1.一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置,包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、碳毡保温层(3)、感应线圈(4),所述坩埚盖(2)位于顶部封闭所述坩埚(1),所述坩埚(1)内放置有碳化硅粉末(5),所述碳毡保温层(3)包覆所述坩埚(1)的周围、顶部、底部,所述感应线圈(4)围绕碳毡保温层(3)设置,其特征在于:所述坩埚盖(2)内侧中心形成有圆柱形凸台(6),所述凸台(6)表面粘合有籽晶(7),所述凸台(6)上环绕套设有一夹套(8),所述凸台(6)外侧壁对应所述夹套(8)开设有相适配的夹套卡槽(9),所述凸台侧壁夹套卡槽(9)下端开设有通气孔(10),夹套卡槽(9)上端开设有排气孔(11),所述坩埚盖(2)外侧连接气管(12),所述气管(12)与通气孔(10)和排气孔(11)连通,所述夹套(8)由左夹套(81)和右夹套(82)组成,所述左夹套(81)和右夹套(82)通过插销(83)固定连接,所述左夹套(81)和右夹套(82)上分布有导气孔(84)。
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