[实用新型]多腔室晶圆处理设备有效
| 申请号： | 201721449150.6 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN207338328U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张大龙;栾剑锋;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多腔室晶圆处理设备，包括：传送腔室、与所述传送腔室连接的锁定腔室，所述锁定腔室与传送腔室之间设置有阀门，其特征在于，包括：所述锁定腔室与传送腔室之间的阀门包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门位于锁定腔室一侧，所述第二阀门位于传送腔室一侧。所述多腔室晶圆处理设备在锁定腔室进行维护的过程中，不会影响传送腔室的内环境，不影响主腔室的利用，提高设备的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 多腔室晶圆 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种多腔室晶圆处理设备，包括：传送腔室、与所述传送腔室连接的锁定腔室，所述锁定腔室与传送腔室之间设置有阀门，其特征在于，所述锁定腔室与传送腔室之间的阀门包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门位于锁定腔室一侧，所述第二阀门位于传送腔室一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
