[实用新型]适用于低温键合式封装结构有效
| 申请号： | 201721450079.3 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN207451615U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;杨中宝;龚著浩 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 苏州唯亚智冠知识产权代理有限公司 32289 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于低温键合式封装结构，在封装盖板上旋涂有机材料并图形化，然后溅射Cr、Au，再采用TMHA溶液体硅腐蚀腔体的方法，获得了有机材料分布均匀的带有腔体的封装盖板。布满腔体的盖板是经过TMAH溶液湿法腐蚀而获得腔体的高阻硅材料。该封装方法使得有机材料在键合区域能够平整的分布，增加了圆片级键合的有效键合面积，进而增强了产品键合后的气密性及可靠性等性能。采用低温键合工艺进行射频器件的低温封装，在获得了良好的机械强度与气密性的同时还满足了对温度敏感的RF MEMS器件封装要求。 | ||
| 搜索关键词： | 有机材料 腔体 封装盖板 封装结构 气密性 键合 封装 本实用新型 低温封装 低温键合 键合区域 射频器件 湿法腐蚀 体硅腐蚀 温度敏感 硅材料 图形化 有效键 圆片级 盖板 高阻 溅射 上旋 平整 | ||
【主权项】：
适用于低温键合式封装结构，包括有衬底，其特征在于：所述衬底上铺设有微波传输线，所述衬底上还铺设有电学连接线，所述微波传输线、电学连接线不接触，所述微波传输线上设置有射频微机电器件，所述衬底上分布有机材料键合环，所述机材料键合环上键合连接有封装盖板，所述有机材料键合环与微波传输线相接触，所述封装盖与衬底之间分布有封装腔体，所述射频微机电器件位于封装腔体内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州希美微纳系统有限公司，未经苏州希美微纳系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721450079.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：切割及湿法腐蚀双结合的封装结构
- 下一篇：一种团簇离子束沉积基片架
