[实用新型]一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构有效
| 申请号： | 201721450554.7 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN207966998U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;张佳琳 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构。一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其中，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlN外延层，AlGaN外延层，二次外延层，二次外延形成凹槽，栅介质层，两端形成源极和漏极，凹槽沟道处的绝缘层上覆盖有栅极。本实用新型能够有效提高阈值电压、栅区迁移率、降低沟道电阻、改善GaN MOSFET器件的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高阈值电压 高导 本实用新型 外延层 绝缘层 应力缓冲层 凹槽沟道 导通性能 沟道电阻 栅介质层 阈值电压 迁移率 衬底 漏极 源极 栅区 半导体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlN外延层（4），AlGaN外延层（5），二次外延层（6），二次外延形成凹槽，栅介质层（7），两端形成源极（8）和漏极（9），凹槽沟道处的绝缘层上覆盖有栅极（10）。
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