[实用新型]用于提高高压启动电路静电释放能力的LDMOS器件及相应电路有效
| 申请号： | 201721461224.8 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN207458948U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 彭云武;刘玉芳;刘君 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H05B33/08 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于提高高压启动电路静电释放能力的LDMOS器件及相应电路，LDMOS器件与外部低压控制电路相连接，并与外部的结型场效应晶体管共漏极，其中，LDMOS器件包括漏极端、有源区、长度与实际区域相匹配第一孔区域以及长度与实际区域相匹配第二孔区域，漏极端与外部低压控制电路中N阱的接近的区域为静电释放过程中的失效易击穿区域；漏极端中包括金属导体，该金属导体通过第一孔区域以及第二孔区域与有源区相连接，其中，失效易击穿区域为无孔结构，该区域位于第一孔区域与第二孔区域之间并阻隔该第一孔区域和第二孔区域。采用该种结构的LDMOS器件，可以在不改变版图面积的情况下，提高器件抗静电释放能能力。 | ||
| 搜索关键词： | 孔区域 静电释放 漏极端 低压控制电路 高压启动电路 金属导体 实际区域 击穿 源区 匹配 外部 电路 结型场效应晶体管 本实用新型 抗静电释放 共漏极 无孔 阻隔 | ||
【主权项】：
一种用于提高高压启动电路静电释放能力的LDMOS器件，所述的LDMOS器件与外部低压控制电路相连接，并与外部的结型场效应晶体管共漏极，其特征在于，所述的LDMOS器件包括漏极端、有源区、长度与实际区域相匹配第一孔区域以及长度与实际区域相匹配第二孔区域，所述的漏极端与所述的外部低压控制电路中N阱的接近的区域为静电释放过程中的失效易击穿区域；所述的漏极端中包括金属导体，该金属导体通过所述的第一孔区域以及第二孔区域与所述的有源区相连接，其中，所述的失效易击穿区域为无孔结构，该失效易击穿区域位于所述的第一孔区域与第二孔区域之间并阻隔该第一孔区域和第二孔区域。
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