[实用新型]非对称波形产生电路及离子迁移谱仪有效
| 申请号： | 201721470906.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN207995051U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 左国民;汪小知;王学峰;杜正;高适;郑小平;李鹏;陈俊祥;杨金星;王宁;张立功 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军陆军防化学院;苏州微木智能系统有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H03K3/64 | 分类号： | H03K3/64;G01N27/62;H01J49/26 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 102205 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及对生化物质进行分析测定技术领域，特别是涉及一种非对称波形产生电路及离子迁移谱仪。所述非对称波形产生电路包括：用于输入任意波形的信号输入电路。与所述信号输入电路电连接的驱动电路。与所述驱动电路电连接的波形产生电路，所述波形产生电路用于产生非对称的方波波形。所述非对称波形产生电路能够产生高幅值、高频率且占空比、正负幅值比更优的非对称方波波形。 | ||
| 搜索关键词： | 非对称波形 产生电路 波形产生电路 离子迁移谱仪 信号输入电路 驱动电路 电连接 非对称 方波 分析测定技术 本实用新型 生化物质 幅值比 高频率 占空比 | ||
【主权项】：
1.一种非对称波形产生电路，其特征在于，包括：信号输入电路(100)；与所述信号输入电路(100)电连接的驱动电路(200)；与所述驱动电路(200)电连接的波形产生电路(300)，所述波形产生电路(300)用于产生非对称的方波波形；所述波形产生电路(300)包括：相互并联的第一波形产生电路(301)和第二波形产生电路(302)；所述第一波形产生电路(301)包括：MOSFET半桥混合电路(310)、第一电容(320)、第一电阻(330)；所述MOSFET半桥混合电路(310)的第一端连接输入电压；所述第一电容(320)和所述第一电阻(330)串联连接在所述MOSFET半桥混合电路(310)的第二端和所述MOSFET半桥混合电路(310)的第三端之间；所述MOSFET半桥混合电路(310)的第三端接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军陆军防化学院;苏州微木智能系统有限公司;清华大学，未经中国人民解放军陆军防化学院;苏州微木智能系统有限公司;清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721470906.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：陡脉冲信号发生器
- 下一篇：一种碳化硅MOS管驱动保护电路
