[实用新型]用于化学处理半导体衬底的设备及机械式转送单元有效
| 申请号： | 201721474488.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN207611751U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | I.梅尔尼克;P.法思;W.约斯;O.沃伊特;J.荣格-凯尼格 | 申请（专利权）人： | RCT解决方法有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国康*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于化学处理半导体衬底的设备，所述半导体衬底带有被锯割形成的表面结构，所述设备具有：工艺槽，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构；清洁装置，被构造为用硝酸溶液对所述织构化的表面结构实施至少一次清洁并且使所述织构化的表面结构在所述清洁期间保持亲水性。所述设备还包括沿所述半导体衬底的输送方向直接地设在所述清洁装置之后的机械式转送单元或干燥装置。根据本实用新型，仅需要新增较少数量的部件就可对现有设备加以升级改造并实现黑硅织构化，从而大幅减少设备投资。 | ||
| 搜索关键词： | 表面结构 织构化 衬底 半导体 本实用新型 化学处理 清洁装置 转送单元 干燥装置 工艺液体 化学刻蚀 减少设备 金属辅助 升级改造 现有设备 硝酸溶液 清洁 工艺槽 亲水性 黑硅 去除 容纳 投资 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学处理半导体衬底(3)的设备(1)，所述半导体衬底(3)带有被锯割形成的表面结构(S0)，其特征在于，所述设备(1)具有：‑工艺槽(11)，被构造为用于容纳工艺液体，并由此去除被锯割形成的表面结构(S0)和通过金属辅助化学刻蚀来产生织构化的表面结构(S1)，‑清洁装置(12)，被构造为用硝酸溶液对所述织构化的表面结构(S1)实施至少一次清洁并且使所述织构化的表面结构(S1)在所述清洁期间保持亲水性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于RCT解决方法有限责任公司，未经RCT解决方法有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721474488.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
