[实用新型]基于MEMS的流速传感器、流速测量电路有效
| 申请号： | 201721492211.7 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN207423990U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 温赛赛;胡慧珊;马硕;王新亮 | 申请（专利权）人： | 苏州原位芯片科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01P5/12 | 分类号： | G01P5/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于MEMS的流速传感器、流速测量电路，所述流速传感器包括芯片基底层、第一保护层、第二保护层、测流元件和感温元件，其中：所述芯片基底层、第二保护层和第一保护层依次堆叠，所述测流元件和所述感温元件均设置于所述第一保护层或第二保护层中，所述测流元件包括电阻值与温度成正相关关系的第一热电阻。本实用新型提供的流速传感器可以应用于小微流量的流体流速测量，且具有精度高、成本低的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 流速传感器 第二保护层 第一保护层 测流元件 感温元件 流速测量 基底层 电路 芯片 流体流速测量 本实用新型 正相关关系 热电阻 微流量 电阻 堆叠 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于MEMS的流速传感器，其特征在于，所述流速传感器包括芯片基底层、第一保护层、第二保护层、测流元件和感温元件，其中：所述芯片基底层、第二保护层和第一保护层依次堆叠，所述测流元件和所述感温元件均置于所述第一保护层或第二保护层中，所述测流元件包括电阻值与温度成正相关关系的第一热电阻。
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