[实用新型]一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片有效
| 申请号： | 201721503477.7 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN207602981U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周立 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 温建洲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片，包括：两个堆叠串联的有源区，其中，上有源区(101)和下有源区(103)之间通过隧道结(102)串联，在巴条发光单元(1)之间刻蚀一条平行于发光方向的隔离槽(2)，隔离槽依次贯穿上有源区(101)、隧道结(102)及下有源区(103)，其中，所述隧道结(102)是高掺杂的PN结，P层与N层厚度分别约5～10nm，掺杂浓度大于1019cm‑3，且隧道结界面必须是陡峭，即隧道结P层N层两侧的掺杂源扩散要小。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道结 巴条 源区 激光器芯片 多有源区 下有源区 隔离槽 半导体 串联 堆积 本实用新型 发光单元 掺杂源 高掺杂 堆叠 刻蚀 陡峭 发光 平行 掺杂 扩散 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片，其特征在于，包括：两个堆叠串联的有源区，其中，上有源区(101)和下有源区(103)之间通过隧道结(102)串联，在巴条发光单元(1)之间刻蚀一条平行于发光方向的隔离槽(2)，隔离槽依次贯穿上有源区(101)、隧道结(102)及下有源区(103)，其中，所述隧道结(102)是高掺杂的PN结，P层与N层厚度分别约5～10nm，掺杂浓度大于1019cm‑3，且隧道结界面必须是陡峭，即隧道结P层N层两侧的掺杂源扩散要小。
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